英特尔揭示未来半导体革命：2030年集成1万亿个晶体管，背面供电技术助力全新篇章”

英特尔在半导体领域的技术创新步伐从未停歇，近日，该公司展示了其在背面供电技术方面的最新研究成果，并阐述了如何在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管的目标。

英特尔高级副总裁兼组件研究总经理桑杰·纳塔拉詹表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年五个制程节点’计划实现后的未来，持续创新比以往任何时候都更加重要。”他认为，英特尔展示的持续创新能力显示了其有能力应对下一代移动计算需求的挑战，并开发出实现晶体管进一步微缩和高能效比供电的前沿技术。

为实现这一目标，英特尔正在大力推动背面供电技术的发展。该技术预计将在2024年随Intel 20A制程节点的推出而投入使用。同时，英特尔也在积极开发用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术，预计也将在2030年前投产。

在背面供电技术方面，英特尔的研究团队已经成功地将晶体管缩小到了1纳米及以上的范围，这是实现更高集成度的关键一步。这项技术的基本原理是在器件的两侧和垂直互连中使用电源过孔，可以有效减少导线的使用，从而放宽间距，不再需要进行复杂的优化妥协和资源争夺。

同时，英特尔还在研究背面接触技术，以期进一步减少电池的电容，提高性能并降低功耗。这种技术已经能够在研究中实现，且前后接触无需使用电源过孔进行布线，这将有助于进一步微缩晶体管。

除了在背面供电技术和背面接触技术方面取得重要进展外，英特尔还在继续推进摩尔定律的研究，以实现更高的集成度和更高效的能源利用。例如，英特尔计划在同一块300毫米晶圆上（而非封装）实现硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成，这将有助于进一步提高芯片的性能和效率。

然而，实现这些目标并非易事。半导体产业的微缩技术面临着许多挑战，例如增加的成本、复杂性和功耗等。为此，英特尔将持续投入研究资源，推动技术的创新和发展，以确保能够在未来几年继续保持行业领先地位。

未来，随着背面供电技术和背面接触技术的广泛应用，我们将有望看到更加高效、节能的半导体器件。这将极大地推动人工智能硬件市场的增长，预计到2026年全球人工智能硬件市场（服务器）规模将达到347亿美元，五年复合增长率高达17.3%。其中，用于运行生成式人工智能的服务器市场规模也将迅速扩大，预计到2026年将占据整个人工智能服务器市场的31.7%。

总之，英特尔在半导体领域一直处于创新的前沿，此次展示的最新成果再次证明了其在推动科技进步方面的领导地位。我们有理由期待，随着背面供电技术和背面接触技术的广泛应用，未来我们将迎来一个更加高效、节能的半导体新时代。